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IRF100S201  与  IPB042N10N3GATMA1  区别

型号 IRF100S201 IPB042N10N3GATMA1
唯样编号 A-IRF100S201 A-IPB042N10N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 214W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@115A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8410pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 192A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 117nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.2 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 441W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 150uA
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
库存与单价
库存 10 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 10 当前型号
IPB042N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3GATMA1_PG-TO263-3

暂无价格 2,000 对比
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100BS_SOT404

¥17.1767 

阶梯数 价格
210: ¥17.1767
400: ¥14.5565
800: ¥13.3546
0 对比
IPB042N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
BUK765R0-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK765R0-100E_SOT404

¥22.4271 

阶梯数 价格
210: ¥22.4271
400: ¥19.006
800: ¥17.4367
0 对比

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