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IRF100S201  与  BUK765R0-100E,118  区别

型号 IRF100S201 BUK765R0-100E,118
唯样编号 A-IRF100S201 A-BUK765R0-100E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@115A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 441W(Tc) 349W
输出电容 - 770pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 192A 120A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
输入电容 - 8860pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
库存与单价
库存 10 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥22.4271
400+ :  ¥19.006
800+ :  ¥17.4367
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1: ¥14.6939
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400: ¥9.1139
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¥17.1767 

阶梯数 价格
210: ¥17.1767
400: ¥14.5565
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0 对比
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暂无价格 0 对比
BUK765R0-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK765R0-100E_SOT404

¥22.4271 

阶梯数 价格
210: ¥22.4271
400: ¥19.006
800: ¥17.4367
0 对比

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