首页 > 商品目录 > > > > IRF7103TRPBF代替型号比较

IRF7103TRPBF  与  DMN6070SSD-13  区别

型号 IRF7103TRPBF DMN6070SSD-13
唯样编号 A-IRF7103TRPBF A-DMN6070SSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 130mΩ@3A,10V 80mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 50V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.2W
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3A 3.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V 588pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V 12.3nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 5,000 对比
QS6K21TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
IRF7103 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售