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IRF7103TRPBF  与  IRF7103  区别

型号 IRF7103TRPBF IRF7103
唯样编号 A-IRF7103TRPBF A-IRF7103
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 3.5nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 130mΩ@3A,10V 200mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.0W
漏源极电压Vds 50V 50V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2W -
栅极电压Vgs - 20V
RthJA max - 62.5K/W
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 3A 2.3A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
QG - 12.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.18
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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