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IRF7103TRPBF  与  ZXMN6A11DN8TA  区别

型号 IRF7103TRPBF ZXMN6A11DN8TA
唯样编号 A-IRF7103TRPBF A-ZXMN6A11DN8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 130mΩ@3A,10V -
漏源极电压Vds 50V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 120mΩ@2.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 40V
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.7nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3A 2.5A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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