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SIHP28N65EF-GE3  与  AOTF42S60L  区别

型号 SIHP28N65EF-GE3 AOTF42S60L
唯样编号 A-SIHP28N65EF-GE3 A-AOTF42S60L
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.7
Rds On(Max)@Id,Vgs 117mΩ@14A,10V 99mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 11.9
栅极电压Vgs ±30V 30V
Td(on)(ns) - 38.5
封装/外壳 TO-220AB-3 TO-220F
连续漏极电流Id 28A(Tc) 39A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 2154
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3249pF @ 100V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 473
Td(off)(ns) - 136
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 37.9W
Qrr(nC) - 10500
VGS(th) - 3.8
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 EF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
Coss(pF) - 135
Qg*(nC) - 40*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP28N65EF-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

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