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SIHP28N65EF-GE3  与  FCP104N60F  区别

型号 SIHP28N65EF-GE3 FCP104N60F
唯样编号 A-SIHP28N65EF-GE3 A-FCP104N60F
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 117mΩ@14A,10V 104m Ohms@18.5A,10V
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 357W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB-3 TO-220
连续漏极电流Id 28A(Tc) 37A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 EF HiPerFET™,Polar™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 145nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3249pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP28N65EF-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB-3

暂无价格 0 当前型号
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