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SIHP28N65EF-GE3  与  SPP24N60C3  区别

型号 SIHP28N65EF-GE3 SPP24N60C3
唯样编号 A-SIHP28N65EF-GE3 A-SPP24N60C3
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 117mΩ@14A,10V 160mΩ
上升时间 - 21ns
栅极电压Vgs ±30V 2.1V,3.9V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-220AB-3 TO-220
连续漏极电流Id 28A(Tc) 24.3A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 104.9 nC
Ptot max - 240.0W
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 14ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3249pF @ 100V -
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 2.11
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 240W
典型关闭延迟时间 - 140ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 0.52 K/W
系列 EF CoolMOSC3
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 13ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP28N65EF-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB-3

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