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SIHP28N65EF-GE3  与  SPP24N60C3XKSA1  区别

型号 SIHP28N65EF-GE3 SPP24N60C3XKSA1
唯样编号 A-SIHP28N65EF-GE3 A-SPP24N60C3XKSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 240W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 117mΩ@14A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3000pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220AB-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 28A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 1.2mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 135nC @ 10V
系列 EF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 160 毫欧 @ 15.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 24.3A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3249pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHP28N65EF-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB-3

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