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GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化镓场效应管,采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术,开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
Nexperia(安世半导体)近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品,均采用超紧凑型 DFN 2020(D)-6封装。
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