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英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。
英飞凌于近日宣布不再支持第一代(G1)CoolGaN™技术用于新设计,此举曾引发外界对其硅基氮化镓(GiT)技术承诺的担忧。
英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P,帮助该公司开发先进的无线功率解决方案,为各行各业开辟解决功率难题的新途径。
ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V GaN器件(EcoGaN™),被台达电子(Delta Electronics, Inc.,以下简称“台达”)Innergie 品牌的45W输出AC适配器(快速充电器)“C4 Duo” 采用。
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