唯样已成为Nexperia/安世官方授权代理商

该产品组合包括35 mΩ、50 mΩ和70 mΩ的器件，提供行业标准的TO-247-3、TOLL和TOLT封装。扩展的电力组合为电力工程师提供了更大的灵活性，在高功率应用中平衡效率、热性能和功率密度，包括数据中心和电信电源、可再生能源系统、电池储能（BESS）以及工业驱动和自动化。

人工智能计算的快速发展推动机架电源需求从3千瓦以下降至5至12千瓦水平，而可再生能源和工业电气化趋势也推动了更高的切换频率和效率要求。在此背景下，像氮化镓（GaN）这样的宽禁带技术在实现下一代电力转换架构中实现更高效率、缩小系统规模和改善热管理方面变得越来越重要。

Nexperia副总裁兼GaN产品组负责人Andrea Bricconi表示：“向宽能隙功率半导体的工业、能源和人工智能基础设施应用的转型正在加速。”“随着效率、功率密度和热需求的持续提升，我们专注于让GaN更易获得、更可扩展，方便设计高功率应用的工程师。扩展我们的650伏氮化镓产品组合是朝这个方向迈出的重要一步——而且这仅仅是我们在宽能隙领域建设的开始。”

在系统层面，这些下一代氮化镓器件使工程师能够突破传统硅基解决方案的性能极限，实现更高的开关频率和更低的开关和导通损耗。根据应用拓扑和工作条件，设计者可以实现更高的功率密度、更高的效率、减少冷却需求以及降低整体系统成本。更高的开关频率还使得使用更小的无源元件和缩小磁性尺寸，支持更紧凑、更可扩展的电力架构，并有更大灵活性以优化性能和占地面积。

在典型的10–12千瓦AI服务器电源的高功率LLC级中，使用氮化镓器件可实现满载效率提升约0.8–1.2%，同时支持级级功率密度提升约40–70%，这得益于更高的开关频率和更小的无源元件尺寸。在典型的1千瓦高压电机驱动中，氮化镓器件可将逆变器功率损失降低约20–25%，实现效率提升约1–1.5%，同时支持更小的热管理解决方案和更高的系统功率密度。

这些设备基于Nexperia的氮化镓技术平台，结合了快速切换特性、低开关损耗、受控动态行为和强大的热性能，并具备一系列行业标准封装选项。这不仅优化电气和机械设计参数，还支持直接集成到现有电力系统架构中。

35 mΩ和70 mΩ设备现已提供TOLL、TOLT、TO-247-3和TO-247-4封装，计划于2026年第三季度推出更多50 mΩ版本。

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