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GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。

2025-01-17 25 0 0 GaN , SiC , 英飞凌工业应用
第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装

采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。

2024-12-24 129 1 1 英飞凌工业应用
技术洞察｜基于英飞凌XMC1302的无感磁场定向控制吊扇解决方案

随着科技的发展，空调日渐普及，但是吊扇依旧受到众多消费者的青睐。英飞凌的永磁同步电机吊扇解决方案由非隔离15V、700mA高压（HV）降压转换器ICE5BR2280BZ和单片集成NPN型电压调节器TLE4284供电，采用IM241系列CIPOS™ Micro IPM作为驱动。

2024-12-20 151 1 1 XMC1302 , 英飞凌工业应用
功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-19 231 1 1 功率器件 , 英飞凌工业应用
功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-19 200 1 1 功率半导体 , 英飞凌工业应用
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效

继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。。。

2024-11-14 212 1 1 硅功率晶圆 , 英飞凌工业应用
如何利用英飞凌MOTIX™ embedded power硬件机制标定小电机ECU

英飞凌MOTIX™ MCU专为实现一系列电机控制应用的机电电机控制解决方案而设计。。。

2024-11-12 245 3 3 小电机ECU , 英飞凌工业应用
采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越的解决方案

英飞凌PrimePACK™产品采用IGBT5.XT技术（FF1800R17IP5），堪称应对各项挑战的卓越解决方案。

2024-10-24 213 1 1 风能变流器 , 英飞凌工业应用
采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器

REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。。。

2024-10-24 144 1 1 伺服电机 , 驱动器 , 英飞凌工业应用
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

● 凭借这一突破性的300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 ● 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 ● 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平

2024-10-12 156 1 1 氮化镓功率半导体 , 英飞凌工业应用