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之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性(参考阅读:CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述,CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析),今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下,如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。
英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片,集成NTC温度传感器,PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。
1200V 500A NPC2三电平模块,采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能,SSCB,人工智能,不间断电源和CAV等。
英飞凌科技正在推动电源供应架构的革新,以满足未来的AI数据中心需求。英飞凌携手NVIDIA正在开发采用集中式电源供电的800V高压直流(HVDC)架构所需的下一代电源系统。
该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器,两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。
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