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第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号,将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ,提供更精细的选型梯度。
第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。
近日,公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供,英飞凌有望扩大客户群体,并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性(参考阅读:CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述,CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析),今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下,如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。
英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片,集成NTC温度传感器,PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。
1200V 500A NPC2三电平模块,采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能,SSCB,人工智能,不间断电源和CAV等。
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