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英飞凌3.3kV SiC XHP2模块：重新定义高压牵引系统的性能标杆

英飞凌推出的3.3kV CoolSiC™ MOSFET XHP2模块，结合创新的“.XT互连技术”，为高压牵引系统提供了更高性能的解决方案。

2025-12-02 87 2 2 SiC XHP2模块 , 英飞凌工业应用
英飞凌新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK™ 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC™ MOSFET技术。。。

2025-11-26 108 0 0 SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
英飞凌新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封装

采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET G2 1400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。

2025-11-19 73 0 0 MOSFET G2 , 英飞凌工业应用
IGBT模块工作环境温湿度条件解析

在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。

2025-11-13 169 3 3 IGBT , IGBT模块 , 英飞凌工业应用
ANPC拓扑调制策略特点及损耗分析 (上)

ANPC拓扑即有源中点钳位技术，是基于NPC型三电平拓扑改进而来，最早提出是用来克服NPC三电平拓扑损耗分布不均匀和中点电位问题。

2025-11-06 181 0 0 英飞凌工业应用
基于英飞凌PSOC™ Control C3的交错并联式PFC+变频解决方案

PSOC™ Control C3凭借高主频与高性能特性，可轻松控制40kHz交错式PFC的开关频率，降低电感值与体积，优化BOM成本。

2025-10-30 181 0 0 交错并联式PFC+变频解决方案 , 英飞凌工业应用
新品 | 用于热泵的带变频器的 Econo PFC

首个集成了维也纳PFC和压缩机变频器的热泵应用一体化模块解决方案。采用最新的IGBT7芯片技术，采用成熟的Econo2 封装。

2025-10-22 101 0 0 带变频器 , Econo PFC , 英飞凌工业应用
基于英飞凌PSOC Control C3的高速吹风机变频控制方案

英飞凌推出高速吹风机解决方案，采用PSOC™ Control C3 MCU和CoolGaN™技术，实现高转速、低噪音、高效能电机控制。

2025-09-26 453 3 3 变频控制方案 , 英飞凌工业应用
英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

英飞凌近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。

2025-09-26 120 1 1 MOSFET , 英飞凌工业应用
英飞凌 | CoolSiC™ 2000V SiC 沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准

本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。

2025-09-19 496 1 1 MOSFET , 功率器件 , 英飞凌工业应用