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本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装,具有加大的爬电距离和电气间隙,使用.XT焊接芯片技术。
大家对氢元素肯定都不陌生,认识它基本都是从背元素周期表开始的。近年来我们身边多了很多氢的身影,从北京冬奥会的氢燃料电池大巴,再到广州南沙小虎岛电氢智慧能源站,氢也越来越被大家熟知。
英飞凌近日宣布与台达电子工业股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)强化既有合作伙伴关系,共同开发高功率密度电源模块,为超大型数据中心的AI处理器提供领先的垂直供电解决方案。
2025年8月7日,由开放计算组织Open Compute Project(OCP)、开放计算标准工作委员会(OCTC)联合主办的“2025开放计算技术大会”在北京举办。
全新 OptiMOS™ 6 150 V 技术旨在满足各种应用的需求,从电信和服务器 SMPS 到电动叉车和 LEV,以及太阳能优化器和大功率USB充电器。
第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号,将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ,提供更精细的选型梯度。
今年IPAC碳化硅直播季,英飞凌“攻城狮”强势集结,从器件性能、系统应用价值、设计要点层层递进。。。
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