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ROHM | 开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

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  全球知名半导体制造商ROHM总部位于日本京都市开发出内置有2 枚耐压±40V ±60V MOSFET 且支24V 输入的双极MOSFET*1QH8Mx5/SH8Mx5 系列Nch+Pch*2,非常适用于FA 等工业设备和基站却风扇的电机驱动。


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  近年来,为了支持工业设备和基站的电机所使用的 24V 输入,MOSFET 作为用于驱动的器件,需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V 60V 的耐压能力。此外,为了进一步提高电机的效率并减小尺寸,对于MOSFET 还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。


  在这种背景下,ROHM 2020 年年底发布的新一代Pch MOSFET*2 之后,此次又开发出在Nch 中融入新微细工艺的第6 40V 60V 耐压的MOSFET。通过这种组合,使ROHM 在支持24V 输入的±40V ±60V 耐压级别拥有了业界先进的Nch+Pch 双极MOSFET 产品。此外,为了满足更广泛的需求,ROHM 还开发出+40V +60V 耐压的QH8Kxx / SH8Kxx 系列Nch+Nch产品阵容已达12 款。


  本系列产品采用ROHM 新工艺,实现了业界超低的导通电阻,±40V 耐压产品的导通电阻比普通产品低61%双极MOSFET Pch 部分比较,有助于进一步降低各种设备的功耗。此外,通过将两枚器件集成到一个封装中,有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化,还有助于减少器件选型Nch Pch 的组合的时间。


  今后,ROHM 还会面向要求更高耐压的工业设备开发100V 150V 耐压产品,以扩大本系列产品的阵容,通过降低各种应用的功耗和实现其小型化来助力解决环境保护等社会问题。


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<新产品特点>

1.实现业界超低导通电阻

ROHM 此次开发的业界先进的双极MOSFET 中,采用了新工艺的、±40V 耐压的产品与普通产品相比,Pch 分的导通电阻降低多达61%,Nch 部分的导通电阻也降低达39%,有助于降低各种设备的功耗。


2.具备只有双极MOSFET 才有的特点,有助于实现设备的小型化和缩短设计周期

通过在一个封装中内置两枚器件,有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面,如果将以往的Nch+Pch 双极MOSFETSOP8替换成新产品TSMT8,安装面积可减少75%

 

<与预驱动器IC 组合,可提供更出色的电机驱动解决方案>

通过将本产品与已具有丰硕实际应用业绩的ROHM 单相和三相无刷电机用预驱动器IC 相结合,可以进一步考虑电机的小型化、低功耗和静音驱动。通过为外围电路设计提供双极 MOSFET 系列和预驱动器 IC 相结合的综合支持, 为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。

 

组合示例

nQH8MC5±60V 耐压Nch+Pch 双极MOSFETBD63001AMUV三相无刷电机预驱动器IC

nSH8KB6+40V 耐压Nch+Nch 双极MOSFETBM62300MUV三相无刷电机预驱动器IC

nSH8KB6+40V 耐压Nch+Nch 双极MOSFETBD63002AMUV三相无刷电机预驱动器IC

 

<产品阵容>

Nch+Pch 双极MOSFET

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Nch+Nch 双极MOSFET

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<应用示例>

nFA 设备、机器人等工业设备和基站用的风扇电机

n大型消费电子设备用的风扇电机


<术语解说>

*1) MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 的缩写)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET 中最常用的结构。 用作开关元件。

 

*2) Pch MOSFET Nch MOSFET

Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET

可用比低于输入电压低的电压驱动,因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET

相比Pch MOSFET,漏源间的导通电阻更小,因此可减少常规损耗。

 

*3) 导通电阻

使MOSFET 启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,则运行时的损耗(电力损耗)越少。


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