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小型顶侧冷却 PowerPAK® 8 x 8 LR 封装 600 V E 系列功率 MOSFET

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Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。

第四代 600 V E 系列功率 MOSFET


  • RDS(ON)*QgFOM 达到业内先进水平

  • 第四代器件,额定功率和功率密度高于 D2PAK 封装产品

  • 降低导通和开关损耗,从而提升能效

Vishay  推出首款采用新型 PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n 沟道  SiHR080N60E  导通电阻降低 27 %,导通电阻与栅极电荷乘积,即 600 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数( FOM )下降 60 %,额定电流高于 D2PAK 封装器件,同时减小占位面积
Vishay 丰富的 MOSFET 技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着  SiHR080N60E  的推出,以及其他第四代 600 V E 系列器件的发布,Vishay 可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求包括功率因数校正( PFC )和后面的 DC / DC 转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电( HID 灯和荧光镇流器、通信 SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动,以及电池充电器
SiHR080N60E   采用小型  PowerPAK 8 x 8 LR  封装,外形尺寸为  10.42 mm  x  8 mm  x  1.65 mm ,占位面积比  D2PAK  封装减小  50.8 % ,高度降低  66 % 。由于封装采用顶侧冷却,因此具有出色的热性能,结壳(漏极)热阻仅为 0.25  ° C / W 相同导通电阻下,额定电流比 D2PAK 封装高 46 %,从而显著提高功率密度。此外,封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能
图片

SiHR080N60E 采用 Vishay 先进的高能效E系列超级结技术,10 V 下典型导通电阻仅为 0.074 Ω,超低栅极电荷下降到 42 nC。器件的 FOM 为 3.1 Ω*nC达到业内先进水平,这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗,从而实现节能并提高 2 kW 以上电源系统的效率。日前发布的 MOSFET 有效输出电容 Co(er) 和 Co(tr) 典型值分别仅为 79 pF 和 499 pF,有助于改善硬开关拓扑结构开关性能,如 PFC半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文( Kelvin )连接,以提高开关效率

器件符合 RoHS 标准,无卤素,耐受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值 100 %通过 UIS 测试


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