威世 | SOT-227 封装 650 V 和 1200 V SiC 肖特基二极管，提升高频应用效率
威世科技宣布，推出 16 款采用工业标准 SOT-227 封装的新型 650 V 和 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。
新型碳化硅（SiC）肖特基二极管 40 A 至 240 A 双二极管和单相桥式器件正向压降低至 1.36 V，QC 仅为 56 nC
日前发布的二极管包括 40 A 至 240 A 的并联双二极管组件，以及 50 A 至 90 A 单相桥器件。这些二极管基于先进的薄晶圆技术制造，正向压降低至 1.36 V，显著减小导通损耗，提高能效。此外，与硅基二极管相比，这些器件具有更好的反向恢复参数，几乎没有恢复尾电流。
这些器件的典型应用包括 AC/DC 功率因数校正（PFC），以及用于光伏系统、充电站、工业不间断电源（UPS）和电信电源的反激式（FBPS）和LLC转换器中的 DC/DC 超高频输出整流。在这些应用环境下，二极管 QC 低至 56 nC，可实现高速开关，其采用的行业标准封装可直接替代竞品解决方案。
这些二极管可在高达 +175 °C 高温下工作，并且具有正温度系数便于并联。这些器件通过 UL E78996 认证，其特点是端子之间具有较大的爬电距离，以及简化的机械设计，便于快速组装。
器件规格表
新型 SiC 二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为 18 周。
闽公网安备 35021102001214号
