Vishay | SMPC HV 封装 1 A、2 A 和 3 A 新型第七代 1200 V FRED Pt® 超高速恢复整流器

2026-07-27 14:11:10 12 0 0 威世 , 整流器

【唯样已成为Vishay/威世官方授权代理商】Vishay 宣布，推出六款采用 eSMP® 系列 SMPC HV 封装的新型器件，进一步扩充其第七代 1200 V FRED Pt® 超高速恢复整流器平台产品组合。

唯样已成为Vishay/威世官方授权代理商

超高速恢复整流器

器件 Q_rr低至 105 nC，V_F低至 1.45 V，同时具有结电容低、恢复速度快、爬电距离仅 5.4 mm 等特点，可降低开关损耗并提高效率

Vishay 宣布，推出六款采用 eSMP^®系列 SMPC HV 封装的新型器件，进一步扩充其第七代 1200 V FRED Pt^®超高速恢复整流器平台产品组合。1 A、2 A 和 3 A 整流器针对工业、汽车和能源应用进行了优化，在同类器件中，不仅反向恢复电荷（Q_rr）和正向压降之间实现优异平衡，而且结电容更低，恢复时间更短。

日前发布的 Vishay Semiconductors 整流器包括 VS-E7SX0112-M3V、VS-E7SX0212-M3V 和 VS-E7SX0312-M3V，以及通过 AEC-Q101 认证的 VS-E7SX0112HM3V、VS-E7SX0212HM3V 和 VS-E7SX0312HM3V。器件具有快速恢复时间低至 50 ns，Q_rr（典型值）低至 105 nC，正向压降低至 1.45 V，结电容低至 7.25 pF 等特点，可降低开关损耗并提高效率。整流器性能可靠，采用 4.3 mm x 6.5 mm 紧凑型封装，非重复峰值浪涌电流高达 70 A，厚度仅为 1.1mm，引脚布局与 TO-277A 封装兼容。器件最小爬电距离 5.4 mm，模塑材料相对漏电起痕指数（CTI）≥ 600（材料组别 I ），在满足 IEC 60664-1 高压应用要求的基础上，有助于减少元件数量，降低物料清单（BOM）成本。

VS-E7SX0112-M3V、VS-E7SX0212-M3V、VS-E7SX0312-M3V、VS-E7SX0112HM3V、VS-E7SX0212HM3V 和 VS-E7SX0312HM3V 可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动功能的高频整流器，同时可为新型快速开关 IGBT 和高压 Si / SiC MOSFET 提供去饱和保护。器件典型应用包括工业驱动和电动工具、电动汽车（EV）车载充电器与电机、发电和储能系统，以及 Ćuk 转换器和工业 LED SEPIC 电路。