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GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。

2025-01-17 25 0 0 GaN , SiC , 英飞凌工业应用
英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再获殊荣，荣获极光奖两项大奖

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件再度赢得行业殊荣，荣获2024年度极光奖“年度影响力产品”奖项。

2025-01-17 11 0 0 极光奖 , 英飞凌
英飞凌荣获年度功率器件-GaN行业优秀奖

近日，由世纪电源网主办的“第三届电源行业配套品牌颁奖晚会”在深圳隆重举办。

2025-01-17 13 0 0 GaN行业优秀奖 , 英飞凌
英飞凌荣获高工金球奖年度技术奖，推动机器人行业发展

由移动机器人行业权威机构—高工机器人组织的“高工金球奖”年度评选活动，是由产业各界共同参与，共同推荐。。。

2025-01-17 35 0 0 高工金球奖 , 英飞凌
英飞凌AURIX™ TC3x新增支持FreeRTOS；推出符合ASIL-D标准的新型三相栅极驱动器IC

英飞的AURIX™ TC3x微控制器（MCU）系列新增了对FreeRTOS的支持。

2025-01-13 90 0 0 MCU , 英飞凌汽车电子
直播预告 | 英飞凌一站式方案助力热泵系统，全新高效功率器件震撼首秀

告别2024年跟随唯样迎接2025年的新年第一播HOLDER特别支持英飞凌在热泵系统上的一站式解决方案首秀1月9日即将呈现。。。

2025-01-03 358 1 1 热泵系统 , 英飞凌 , 直播
英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目

11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖“年度高性能无源/分立器件”，再次展现了英飞凌在电力电子领域的技术创新能力和行业领先地位。

2024-12-24 202 1 1 英飞凌
第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装

采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。

2024-12-24 129 1 1 英飞凌工业应用
英飞凌推出新型高性能微控制器AURIX™ TC4Dx

英飞凌近日宣布推出最新AURIX™ TC4x系列的首款产品AURIX™ TC4Dx微控制器（MCU）。

2024-12-24 124 1 1 MCU , 英飞凌汽车电子
英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。

2024-12-20 135 1 1 氮化镓功率分立器件 , 英飞凌消费电子