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微碧半导体(VBsemi)最新发布的VBP2205N中压MOSFET,以其-200V/55A/50mΩ的卓越性能参数,正在重新定义智能烤箱的功率控制精度与能效标准。
该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器,两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。
Nexperia推出车规级碳化硅 MOSFET,具备行业领先的品质因数和行业领先的温度稳定性,可实现更高的输出功率,为客户带来显著的成本优势。采用SMD封装技术,降低散热要求,提高能效。
Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。
日前,集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商AOS推出两款先进的表面贴片封装选项,扩展其行业领先的高功率MOSFET产品组合。
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