Vishay Intertechnology标准级40伏MOSFET防止误触发并降低电机控制电路中的噪声
唯样已成为Vishay/威世官方授权代理商
马尔文，宾夕法尼亚州。— 2026年7月7日 — Vishay Intertechnology， Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今日推出了四款全新40伏TrenchFET® Gen IV标准级n通道功率MOSFET，采用6.15毫米×5.15毫米PowerPAK® SO-8单封装。Vishay Siliconix SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP 和 SIR5408DP 优化了电机控制电路的噪声环境，结合了大于 2.5 V 的高门极-源阈值电压和 Qgd / Qgs 比值小于 1。
目前发布的器件具有较高的最小门极-源阈值电压，防止电机控制电路中栅极诱导的假MOSFET触发，同时其优化的Qgd / Qgs比减少了栅极引起的电压波动和栅极噪声的影响。这两种特性使该设备非常适合在BLDC电机、电动工具、无人机和自动化系统中实现同步整流和直流/直流转换。
它们满足特定应用的需求，SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP和SIR5408DP提供典型导通电阻值范围，范围从0.9毫瓦到2.5毫瓦（10 V），栅极电阻值从32.6 nC到82 nC。MOSFET均100%通过RG和UIS测试，符合RoHS标准，且不含卤素。
设备规格表：
部分# |
SIR5402DP |
SIR5404DP |
SIR5406DP |
SIR5408DP |
|
VDS |
40 |
40 |
40 |
40 |
|
五号大剑 |
± 20 |
± 20 |
± 20 |
± 20 |
|
RDS（开） |
@ 10 V（类型) |
0.9毫瓦 |
1.55毫瓦 |
1.9毫瓦 |
2.5毫瓦 |
@ 10 V（最大值） |
1.2毫瓦 |
1.85 mW |
2.5毫瓦 |
3.2毫瓦 |
|
Qg |
82 |
61.5 |
44 |
32.6 |
|
Qgs |
26 |
20 |
14 |
10.5 |
|
Qgd |
18 |
14.5 |
10.5 |
7.5 |
|
Qgd / Qgs 比率 |
0.69 |
0.73 |
0.75 |
0.71 |
|
Vth（min） |
2.5 |
2.5 |
2.5 |
2.5 |
|
包装 |
PowerPAKÒ SO-8 单曲 |
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新型标准级MOSFET的样品和生产数量现已提供，交货期为13周。
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