唯样已成为ROHM Semiconductor/罗姆半导体官方授权代理商

中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布， 推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品， 通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在 将该器件用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转 换电路的效率和可靠性。 

新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离* 1。新产品不仅 与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级* 2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。 因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。 

另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转 换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。 

新产品已于2026年6月开始量产（样品价格：5500日元/个，不含税），且同时开始线上销售。此 外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。 

未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与 更高可靠性提供支持。

＜开发背景＞ 

在电动汽车（xEV）中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载 充电器（OBC）和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作 为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的 SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装 不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装 的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散 热性能。 

＜应用示例＞ 

・车载设备：车载充电器（OBC）、电动压缩机等 

・工业设备：光伏逆变器、服务器电源等 

＜关于“EcoSiC™”品牌＞ 

EcoSiC™是采用了因性能优于硅（Si）而在功率元器件领域备受关注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。 从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另 外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。 

EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

＜术语解说＞ 

*1） 爬电距离 

两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短 路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。

 *2） 污染等级2级 

污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确 定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～ 4级。

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