加利福尼亚州桑尼维尔，2026年7月7日——Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）今日推出全新AOPL66801 80V MOSFET，该器件采用半桥配置，并搭载先进的DFN6x5 AmpStack™ MOSFET封装技术。这一突破性封装方案不仅实现了更高密度的设计自由度，更以其卓越的性能表现，全面赋能从下一代兆瓦级AI数据中心到日常电动工具等广泛功率转换场景。

AOS日前推出了一款采用先进封装技术的创新产品——AOPL66801 80V MOSFET，该产品通过垂直堆叠芯片技术，将上管与下管MOSFET巧妙集成于一体，构成高度紧凑的半桥电路。相较于传统采用两颗独立DFN5x6 MOSFET的方案，这一设计不仅将功率密度提升至全新高度，更大幅释放了宝贵的PCB布板空间，为系统小型化铺平道路。与此同时，AOPL66801针对开关节点特别优化了夹片（clip）设计，有效抑制上下管之间的寄生电感，显著降低由PCB寄生电感引发的相节点电压振铃现象，从而极大缓解MOSFET所承受的电气应力，为高功率密度应用场景提供了更稳健、更高效的功率转换解决方案。

针对PCB布局中寄生电感对栅极驱动性能及开关效率的潜在影响，AOPL66801集成了Kelvin检测引脚，可在高di/dt开关瞬态中确保栅极电压保持高度稳定，同时为上管提供更优化的驱动回路路径，从而有效降低功率损耗；此外，该器件支持高达175°C的最高结温，赋予其更出色的热可靠性与性能余量。这些先进特性在系统层面协同发力，不仅显著提升功率密度与运行效率，更为严苛的高功率应用场景提供了坚实而持久的性能保障。

AOS MOSFET产品线资深总监Peter H. Wilson表示：“对于致力于提升功率密度的设计工程师而言，我们全新推出的AmpStack™半桥封装无疑是一项革命性突破，其综合性能全面超越采用两颗DFN 5x6分立式封装的传统方案；同时，通过针对低源极寄生电感的优化封装设计，我们显著抑制了相位节点振铃现象并有效降低MOSFET承受的电气应力，这意味着客户在获得更高功率输出的同时，应用可靠性亦将得到实质性的跃升。”

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