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Nexperia | USB4 ESD 二极管件实现了保护和性能的出色平衡

基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。

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基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF 专为保护 USB 4 (Thunderbolt)接口而设计,而 PESD4V0Y1BCSF 可适用于 USB 4 以及 HDMI 2.1。这两款产品均使用 Nexperia(安世半导体)的成熟 TrEOS 技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。


重定时器和信号中继器是设计高速 USB 4 接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短,从而降低寄生电感,但也会意外地降低整体系统级 ESD 稳健性。PESD2V8Y1BSF 和 PESD4V0Y1BCSF 较低的超快传输线路脉冲(vfTLP)峰值钳位电压,甚至低于标准 I(V) TLP 曲线中无明显的触发电压的 USB 4 保护解决方案。这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感,从而提高整体系统级 ESD 稳健性。为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10 GHz 下为 -0.29 dB)和回波损耗(10 GHz 下为 -20.6 dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增加可提供完整的 RF 性能直到反向截止电压

相较于其他 ESD 保护二极管件,PESD2V8Y1BSF 和 PESD4V0Y1BCSF 可直接放置在所保护器件的连接器旁边,因此可提供更大的设计灵活性。这意味着交流耦合电容也会受到保护。此外,它将大部分线路电感置于 ESD 保护和被保护器件之间,以优化系统的 ESD 性能。

Nexperia高级产品经理 Stefan Seider 表示:


Nexperia通过提供尽可能降低 ESD 保护对总预算影响的器件,帮助设计工程师在预算有限的情况下,满足高速USB4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。


为了向下兼容可通过 USB Type-C 连接的旧接口标准(如USB3.2),PESD2V8Y1BSF 设有 2.8 V 的反向截止电压 VRWM,而 PESD4V0Y1BCSF 的 VRWM 为 4 V,因此还可适用于 HDMI 2.1。两款器件均使用 TrEOS 技术,其 RF 性能在动作电压范围内均不会下降。除了 USB 4 和 HDMI 2.1 以外,两款器件还可用于保护 PCIe 和 DisplayPort 接口。


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