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威世 | 薄型PowerPAK® 600V EF系列快速体二极管 MOSFET

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Vishay 推出采用薄型 PowerPAK® 10 x 12 封装的新型第四代 600V EF系列快速体二极管MOSFET。

Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF

  • N沟道器件实现高功率密度

  • 降低导通和开关损耗

  • 提高能效


Vishay  推出采用薄型 PowerPAK® 10 x 12 封装的新型第四代 600V EF系列快速体二极管MOSFET。


Vishay Siliconix n 沟道  SiHK045N60EF  导通电阻比前代器件降低 29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降 60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数(FOM)创业界新低。


图片


Vishay 提供丰富的 MOSFET 技术以支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。随着  SiHK045N60EF  的推出,以及其他第四代 600V EF 系列器件的发布,Vishay 可满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)以及其后的 DC/DC 转换器模块。典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。
SiHK045N60EF  基于 Vishay 高能效E系列超结技术,10V 条件下典型导通电阻仅为 0.045Ω,比 PowerPAK® 8 x 8 封装器件低 27%,从而提高了额定功率,支持 ≥ 3 kW 的各种应用,同时器件高度低至 2.3 mm,增加了功率密度。此外,MOSFET 超低栅极电荷降至 70 nC。器件的 FOM 为 3.15 Ω*nC,比同类中最接近的 MOSFET 竞品低 2.27 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源提高能效。器件满足服务器电源钛效率的特殊要求,或通信电源达到 98% 的峰值效率。
SiHK045N60EF  有效输出电容 Co(er) 和 Co(tr) 分别仅为 171 pf 和 1069 pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如 LLC 谐振转换器。器件的 Co(tr) 比同类中最接近的 MOSFET 竞品低 8.79 %,而其快速体二极管的 Qrr 低至 0.8 μC,有助于提高桥式拓扑结构的可靠性。此外,MOSFET 的 PowerPAK® 10 x 12 封装具有任何表面贴装的出色热性能,最大结-壳热阻额定值为 0.45˚C/W。SiHK045N60EF 热阻抗比 PowerPAK® 8 x 8 封装器件低 31%。
日前发布的 MOSFET 符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值 100% 通过 UIS 测试。



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