近年来，随着小型设备向高性能化和多功能化方向发展，设备内部所需的电量也呈增长趋势，电池尺寸的增加，导致元器件的安装空间越来越少。另外，电池的尺寸增加也是有限制的，为了更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。

针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的优势，通过灵活运用其IC工艺，大大降低了在以往分立器件的工艺中会增加的布线电阻，开发出功率损耗更低的小型功率MOSFET。

新产品采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装^*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在实现小型化的同时还降低了功耗。与相同封装的普通产品相比，表示导通损耗和开关损耗之间关系的指标（导通电阻^*3×Qgd^*4）改善了20%左右，达到业内先进水平（1.0mm×0.6mm以下封装产品比较），非常有助于缩减各种小型设备电路板上的元器件所占面积并进一步提高效率。另外，还采用ROHM自有的封装结构，使侧壁有绝缘保护（相同封装的普通产品没有绝缘保护）。在受空间限制而不得不高密度安装元器件的小型设备中，使用这款新产品可降低因元器件之间的接触而导致短路的风险，从而有助于设备的安全运行。

ROHM将继续开发导通电阻更低、尺寸更小的产品，通过进一步提高各种小型设备的效率，来为解决环保等社会课题贡献力量。

*1) Nch MOSFET
通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
相比Pch MOSFET，其漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

*2) 晶圆级芯片尺寸封装
一种在整片晶圆上形成引脚并进行布线等，然后再切割得到单个成品芯片的超小型封装形式。与将晶圆切割成单片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。

*3) 导通电阻
MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。

*4) Qgd（栅极-漏极间电荷量）
MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。