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威世 | PowerPAIR® 3x3FS封装,30V对称双通道MOSFET

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Vishay 推出两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET,将高边和低边 TrenchFET® Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS 单体封装中。

Vishay TrenchFET® Gen V MOSFET

  • 节省空间型器件所需 PCB 空间比 PowerPAIR 6x5F 封装减少 63%

  • 有助于减少元器件数量并简化设计


Vishay  推出两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET,将高边和低边 TrenchFET® Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS 单体封装中。

Vishay Siliconix  SiZF5300DT  和  SiZF5302DT  适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。

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日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件,节省 50% 基板空间,同时占位面积比 PowerPAIR 6x5F 封装双片 MOSFET 减小 63%。MOSFET 为 USB-C 电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和 DC/DC 模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中,SiZF5302DT 高低边 MOSFET 提供了 50% 占空比和出色能效的优质效果,特别是在 1 A 到 4 A 电流条件下。而 SiZF5300DT 则是 12 A 到 15 A 重载的理想解决方案。

SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 利用 Vishay 的 30 V Gen V 技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V 和 4.5 V 下典型导通电阻分别为 2.02 mΩ 和 2.93 mΩ, SiZF5302DT 相同条件下导通电阻分别为 2.7 mΩ 和 4.4 mΩ。两款 MOSFET 4.5 V 条件下典型栅极电荷分别为 9.5 nC 和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积,即 MOSFET 功率转换应用重要优值系数(FOM),比相似导通电阻的前代解决方案低 35 %。高频开关应用效率提高 2%,100 W 能效达到 98%。

与前代解决方案对比

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器件采用倒装芯片技术增强散热能力,独特的引脚配置有助于简化 PCB 布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 经过 100% Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。

器件规格表

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