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威世 | 高能效,更可靠,第三代650V SiC二极管

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Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管


  • 器件采用 MPS 结构设计

  • 额定电流 4 A~ 40 A

  • 正向压降、电容电荷和反向漏电流低


Vishay  推出17款新型第三代 650V 碳化硅 (SiC)肖特基二极管 。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

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日前发布的新一代 SiC 二极管包括 4A 至 40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用 MPS 结构,器件正向压降比上一代解决方案低 0.3V,正向压降与电容电荷乘积,即电源能效重要优值系数(FOM),相比上一代解决方案降低 17%。

与接近的竞品解决方案相比,二极管室温下典型反向漏电流低 30%,高温下低 70%。因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。

与击穿电压相当的硅二极管相比,SiC 二极管热导率高,反向电流低,反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响,可在 +175˚C 高温下工作,不会因开关损耗造成能效变化。

器件典型应用包括发电和勘探应用领域 FBPS 和 LLC 转换器中的 AC/DC 功率因数校正(PFC)和 DC/DC 超高频输出整流。器件具有高可靠性,符合 RoHS 标准,无卤素,通过 2,000 小时高温反偏(HTRB)测试和 2,000 次热循环温度循环测试,测试时间和循环次数是 AEC-Q101 规定的两倍。

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