7月研讨会 | ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology解读
ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology解读
近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。GaN作为比肩SiC的第三代半导体，虽然在耐压（650V）及大电流方面并无惊艳之处，但其在开关频率特性上，有着绝对量级上（200kHz以上）的优势。因此，在数据电源、基站电源、小型充电器等一般领域以及OBC、48V系统、激光雷达等车载领域中，可以充分发挥其低功耗、高工作频率的优势。
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ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology
2024年7月31日 上午10:00
1. GaN的介绍
2. 使用罗姆GaN的产品解决方案
3. 罗姆GaN产品开发路线
陆昀宏 | 经理
2010年加入ROHM。
现任HighPowerSolution经理，负责面向包括车载，工业等各领域的SiC&GaN产品的推广和方案设计。在HighPower产品领域中有着丰富的产品知识面和经验，为客户进行选型指导和技术支持。
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GaN功率器件产品页面
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EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC技术
基于EcoGaN™系列的创新型电源解决方案
实现节能和小型化的罗姆"Nano"电源技术
Nano Pulse Control™系列产品
“Nano”电源技术小册子
解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术“Nano”
*EcoGaN™ 和 Nano Pulse Control™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
闽公网安备 35021102001214号
