“ 诚邀您参加英飞凌存器解决方案线上技术论坛。 本次论坛将由Infineon和业内专家共同主持，向您全方位展示Infineon储存器解决方案在汽车和工业应用中的最新设计趋势和用例。 论坛面向对象： 本届论坛主要面向方案设计群体（系统架构师、设计工程师等），探讨（由多种需求驱动的）设计复杂度增加，和资格认证所带来的挑战，以及如何减少开发成本并缩短上市时间。 主要内容介绍： Infineon如何借助储存器解决方案进行创新 - 包括技术、设置新接口标准、自有工厂生产、新产品等 高速存储接口当下和未来趋势 由行业领先的汽车和工业专家分享最佳设计实践 - 可扩展的硬件平台 了解英飞凌生态圈方案、工具和技术支持，从而缩短设计周期和上市时间 ★ ★ ★ ★ ★ 报名及查看更多详情点击阅读原文： 期待您的参与！
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英飞凌汽车电子生态圈
英飞凌推出的3.3kV CoolSiC™ MOSFET XHP2模块，结合创新的“.XT互连技术”，为高压牵引系统提供了更高性能的解决方案。
英飞凌宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。
EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK™ 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC™ MOSFET技术。。。
安克推出的Anker Prime 160W三口充电器，专为差旅和桌面使用设计，采用 GaN 氮化镓方案，三个 USB-C 输出口单口可支持 140W，三台设备同时充电时总功率可达 160W，可满足多设备同时高效充电需求。
采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET G2 1400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。
第五代650-700V GaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。
英飞凌为Thistle Technologies提供OPTIGA™ Trust M安全解决方案。
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