IGBT 和 MOSFET 驱动器-延展型 SO-6 封装，实现紧凑设计、快速开关和高压
Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型 SO-6 封装的最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器。
器件峰值输出电流高达 4 A
工作温度高达 +125 °C，传播延迟低至 200 ns
器件峰值输出电流高达 4 A
工作温度高达 +125 °C，传播延迟低至 200 ns
Vishay推出四款采用紧凑型、全绝缘 SOT-227 封装的新型 100 V Gen 2 Trench MOS 势垒肖特基（TMBS®）整流模块。
安规电容是在电子电路中用于抑制电源电磁干扰的电容器，其核心的作用有两方面：一是消除电源线路中的噪声，对共模，差模干扰进行滤波；二是要满足安全规范 IEC60384-14 的要求。
在今天的功率电子系统中，MOSFET 承载的电流和功率越来越大，而产品的尺寸却越来越紧凑，这就使得功率密度成为功率 MOSFET 选型时一个需要重点考量的指标。
Vishay 推出一款新型通过 AEC-Q200 认证、玻璃封装保护的 NTC 热敏电阻，采用广泛使用的 0.5 mm x 0.5 mm x 1 mm 0402 封装。
Vishay 推出两种新型 1200 V MOSFET 功率模块，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。
Vishay 推出一款通过 AEC-Q200 认证的金属化聚丙烯薄膜 DC-Link 电容器，专为汽车、能源和工业应用等严苛环境而设计。
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