Vishay | MAACPAK PressFit 封装 1200 V SiC MOSFET 功率模块，提高效率和可靠性

2025-12-05 14:57:11 11 0 0 Vishay , SiC MOSFET

Vishay 推出两种新型 1200 V MOSFET 功率模块，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。

1200 V MOSFET 功率模块

薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性

Vishay 推出两种新型 1200 V MOSFET 功率模块，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120 和 VS-MPX075P120 分别有四颗和六颗 MOSFET 的模块，采用薄型 MAACPAK PressFit 封装，是先进的碳化硅（SiC）技术和坚固的传递模塑结构的理想组合。

日前发布的功率模块集成 Vishay 新一代 SiC MOSFET 与用于温度感测的负温度系数（NTC）热敏电阻，以及具有低反向恢复时间的快速本征 SiC 二极管，从而降低开关损耗，提高效率，适用于光伏逆变器、电动（EV）和混合电动（HEV）汽车充电器、电机驱动器、焊机、DC/DC 转换器、UPS、暖通空调（HVAC）系统、大型电池储能系统、通信电源等。

为提高可靠性，VS-MPY038P120 和 VS-MPX075P120 采用坚固的传递模塑工艺技术，产品生命周期远超市场上现有的传统解决方案，同时增强热阻性能。此外，器件高度低，有助于降低寄生电感和电磁干扰（EMI），节省空间，实现更高效、更干净的开关特性。模块 PressFit 引脚矩阵排列符合行业标准布局，便于轻松替换现有设计中的竞品解决方案，提高性能。

VS-MPY038P120 采用全桥逆变器拓扑结构，导通电阻低至 38 mΩ，+ 80 °C 下连续漏极电流为 35 A, 而 VS-MPX075P120 则采用三相逆变器拓扑结构，导通电阻为 75 mΩ，连续漏极电流为 18 A。两种器件都具有低容值高速开关功能，最高工作结温达 + 175 °C。功率模块符合 RoHS 标准，无卤素。