拒绝能效焦虑！全新ROHM GaN解决方案驰骋AI服务器领域
在AI大模型飞速演进的今天，数据中心和 AI 服务器的功耗正面临前所未有的挑战。如何在高电压、大功率的需求下，实现更小的体积与更高的转换效率？氮化镓（GaN）作为下一代半导体材料，正凭借其出色的开关性能和高频特性，成为化解“能效焦虑”的关键。
面对全球AI服务器和电动汽车领域对GaN产品日益增长的需求，全球知名半导体制造商罗姆（ROHM）宣布将自身拥有的 GaN 开发制造技术与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术融合，在集团内部建立一体化生产体系！
通过获得台积电的GaN技术授权，罗姆不仅增强了供应能力，更计划在2027年内于罗姆滨松工厂建立起完善的生产体系。这意味着，从底层工艺到最终成品，罗姆将拥有更极致的品质把控与产能保障，为您的供应链安全保驾护航。
罗姆推出的 EcoGaN™ 品牌，旨在通过最大限度发挥 GaN 的性能，助力应用产品进一步节能和小型化。
相比传统Si器件，EcoGaN™展现出了压倒性的优势：
更低损耗：导通电阻显著低于传统 Si（硅）器件，有效降低功耗。
更高频率：优异的高电压和高频特性，有助于缩减外围元器件体积，实现系统小型化
简化设计：该系列产品有助于减少设计工时和元器件数量，提升开发效率。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
针对高要求电源系统，我们重点推荐ROHM的标杆级产品：GNP2070TD
关键特性
KEY FEATURES
作为650V耐压的GaN器件，实现了业内出色的FOM（Figure of Merit）
核心优势
CORE STRENGTHS
大大降低开关损耗，在提高电源效率的同时，助力各种电源系统进一步提高效率
罗姆的氮化镓功率解决方案正在推动多样化应用的变革：
AC适配器：缩小器件尺寸，缩短充电时间
车载充电器(OBC)：更高效的功率转换，缩短充电时间
数据中心：减少二氧化碳排放，降低功耗
工业机器人：更高的功率密度，更低的系统成本
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