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新品 | 12个CoolSiC™ MOSFET新型号-1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B和Easy2B模块

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又有一批12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模块上市,他们采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代,适用于电动汽车充电、UPS和光伏、储能。

新品

12个CoolSiC™ MOSFET新型号——

1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B

Easy2B模块

图片
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又有一批12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模块上市,他们采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代,适用于电动汽车充电、UPS和光伏、储能。


这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测,有Al2O3/AlN DCB两种版本,型号中带P的是预涂TIM材料。


产品型号:

▪️ F4-8MR12W2M1H_B70

8毫欧 H桥 AlN DCB

▪️ F4-8MR12W2M1HP_B76

8毫欧 H桥TIM

▪️ F4-11MR12W2M1H_B70

11毫欧 H桥 AlN DCB

▪️ F4-11MR12W2M1HP_B76

11毫欧 H桥 TIM

▪️ F4-33MR12W1M1H_B76

33毫欧 H桥

▪️ F4-17MR12W1M1H_B76

17毫欧 H桥

▪️ F4-17MR12W1M1HP_B76

17毫欧 H桥 TIM

▪️ F3L11MR12W2M1HP_B19

11毫欧 T-三电平 TIM

▪️ FF11MR12W2M1H_B70

11毫欧 半桥 AIN DCB

▪️ FF11MR12W2M1HP_B11

11毫欧 半桥 TIM

▪️ FS13MR12W2M1H_C55

13毫欧 三相桥 AIN DCB

▪️ FS13MR12W2M1HP_B11

13毫欧 三相桥 TIM

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产品特点

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B,Easy2B封装

非常低的模块寄生电感

RBSOA反向工作安全区宽

栅极驱动电压窗口大

PressFIT引脚


应用价值

扩展了栅源电压最大值:+23V到-10V

在过载条件下,Tvjop最高可达175°C

最佳的性价比,可降低系统成本

可工作在高开关频率,并改善对冷却要求


竞争优势

完整的半桥SiC模块产品组合,包括标准Al2O3 DCB和低热阻高性能AIN DCB

应用领域


电动汽车充电

储能系统

光伏

UPS


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