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新品发布 | 英飞凌OptiMOS™ 6 200 V MOSFET

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随着英飞凌技术公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品,电机驱动应用领域得到了显著的推进。。。

随着英飞凌技术公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品,电机驱动应用领域得到了显著的推进。这一系列产品专为各种电动交通工具,(如电动滑板车、微型电动车及电动叉车等)提供了卓越的性能表现。


OptiMOS™ 6 200 V MOSFET的沟槽技术,通过降低了RDS(on)(漏源电阻),有效减少了传导损耗,使其在电动工具的应用中实现了更高效的运行。这项技术不仅优化了开关损耗,降低了电磁干扰(EMI),而且提供了更好的并联运作能力,这得益于它窄的栅极阈值电压范围和降低的跨导效果。其软二极管特性和低的反向恢复电荷,加上线性输出电容的改善,这些都有助于在不同的操作条件下提升系统效率。


这些特性对于任何需要高效能源交换的应用程序,如服务器、通信、储能和太阳能系统等,都是至关重要的。此外,OptiMOS™ 6 200 V更宽的安全工作区(SOA)以及更低的RDS(on)的结合,使得它成为静态交换应用(如电池管理系统)的理想选择。


与OptiMOS™ 3相比,OptiMOS™ 6 200 V的性能有了质的飞跃,RDS(on)降低了42%,大大减少了传导损耗并提升了输出功率。在二极管的软切换特性上,OptiMOS™ 6 200 V的表现是OptiMOS™ 3的三倍以上,加上89%的Qrr(反向恢复电荷)降低,使得开关和EMI性能都得到了显著提升。寄生电容(Coss 和 Crss)的线性度改进,减少了开关时的振荡和电压过冲,紧密的V GS(th) 分布和更低的跨导有助于并联MOSFET的均衡流动,实现更均匀的温度分布,同时减少了并联MOSFET的需要。


新的OptiMOS™ 6 200 V产品系列不仅在技术性能上设立了新的行业标准,也因其提高的功率密度、效率和系统可靠性,为客户带来了实质性的利益。随着这些创新产品的推出,我们可以期待在电力电子领域的更多应用突破和进步。


OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品优势

•  低传导损耗

•  开关损耗低

•  改善了EMI

•  减少了并联的需要

•  并联时更好的电流共享

•  符合RoHS,无铅


OptiMOS™ 6 200 V MOSFET技术优势:

•  室温下RDS(on) 减少42%,175°C时减少53%

•  降低了Qrr和提高了电容线性度与开关性能

•  在不影响EMI的情况下,降低传导和开关损耗

•  改进SOA以增加保护开关应用中MOSFET电流处理

•  设计优化和生产精度使可靠的高性能技术


OptiMOS™ 6 200 V 产品采用多种封装,适合各种应用。这一广泛的封装产品组合包括 PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P 以及 D2PAK-3P。现已开放订购

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