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IPAC直播间 | 英飞凌CoolSiC™ 碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V时代

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今年3月,英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,全面开启碳化硅2000V的时代。

今年3月,英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,全面开启碳化硅2000V的时代。最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。作为英飞凌的创新产品,其在直流母线电压表现抢眼,能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。



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英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”

去年一经上线,备受好评!

5月14日 14:00

 今年的碳化硅季正式回归,

首期话题将为您揭开

CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面纱:


 
  • 增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势? 

  • 2000V CoolSiC™ 碳化硅分立器件模块产品各有什么特点?

  • 如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战?

  • 2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点

👇🏻立即扫码预约直播👇🏻

直播间不定时有惊喜奖品掉落

敬请期待!

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锁定碳化硅季未来几期

更多福利/惊喜将在直播间呈现:

  • CoolSiC™ MOSFET 2000V产品评估板首次公开发布售卖

  • 栅极驱动器重点知识讲解

  • 储能方面的应用……


碳化硅直播季主持人


波老师


IPAC 常驻主持

直播嘉宾

赵佳

碳化硅资深专家 

长期负责功率半导体产品在新能源等应用技术支持

沈嵩

碳化硅资深专家 

具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识





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