采用 PowerPAK® 10x12 封装的 40 V MOSFET

2024-12-06 14:12:10 396 0 0 MOSFET , Vishay , 威世

Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET，器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。

新型四代 N 沟道功率 MOSFET

器件占位面积小，采用 BWL 设计，I_D高达 795 A
可提高功率密度，而且低至 0.21 °C/W 的 R_thJC可优化热性能

Vishay 推出采用 PowerPAK ^® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET ^® 四代 N 沟道功率 MOSFET，器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E 的导通电阻降低了32 %，同时比采用 TO-263-7L 封装的 40 V MOSFET 的导通电阻低 58 %。

日前发布的这款器件在 10 V 电压下的典型导通电阻低至 0.34 mΩ，最大限度减少了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时通过低至 0.21 °C/W 典型值的 R_thJC改善了热性能。SiJK140E 允许设计人员使用一个器件（而不用并联两个器件）实现相同的低导通电阻，从而提高了可靠性，并延长了平均故障间隔时间（MTBF）。

MOSFET 采用无线键合（BWL）设计，最大限度减少了寄生电感，同时最大限度提高了电流能力。采用打线键合（BW）封装的 TO-263-7L 解决方案电流限于 200 A，而 SiJK140E 可提供高达 795 A 的连续漏极电流，以提高功率密度，同时提供强大的 SOA 功能。与 TO-263-7L 相比，器件的 PowerPAK^® 10x12 封装占位面积为 120 mm²，可节省 27 % 的 PCB 空间，同时厚度减小 50 %。

SiJK140E 非常适合同步整流、热插拔和 OR-ing 功能。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和 3D 打印机。为了避免这些产品出现共通，标准级 FET 提供了 2.4Vgs 的高阈值电压。MOSFET 符合 RoHS 标准且无卤素，经过 100 % Rg 和 UIS 测试。

PPAK10x12 与 TO-263-7L 规格对比

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新型 40 V TrenchFET^® 四代 N 沟道功率 MOSFET

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