小型BMS主板需同时容纳主控单元（BMU）、模拟前端（AFE）、CAN通信、均衡电路及功率MOS管等模块，留给瞬态抑制器件的布板空间极为有限。同时，BMS工作环境存在电池包高压浪涌、MOS管开关尖峰、热插拔冲击等严峻电气应力，对TVS的浪涌承受能力和可靠性提出了极高要求。

辰达1.0SMBJxx系列采用DO-214AA/SMB小型化封装，将多项优势集成于一体：

 

BMS充放电回路中的功率MOS管需要在极短时间内关断，电流突变产生的漏极尖峰电压幅值极高。开关速度越快，过压越严重，极易导致MOS管雪崩击穿或炸管。保护MOS管的TVS因此承受极高的瞬态电压，且通常需要多颗并联使用，对TVS的一致性要求极高。

1.0SMBJxx系列采用了先进的Clip组焊工艺，当DS极间电压超过TVS击穿电压（例如1.0SMBJ5.0CA的6.40~7.00V）时，TVS迅速由高阻态转为低阻态，将尖峰电压钳位在9.2V以内，同时泄放高达108.7A的峰值脉冲电流，确保MOS管VDS始终处于安全区，避免过热或击穿。

此外，1.0SMBJxx系列还集成了完备的可靠性保障：

玻璃钝化结：低漏电、高耐温，提升高温高湿环境下的长期稳定性

低电感设计：减小响应路径寄生参数，进一步提升钳位速度

UL 94V-0阻燃封装：满足车载及储能系统安规要求

 

BMS充放电回路中的MOS 管在开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏 MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，会在电源两端和MOS的DS两端增加大功率TVS二极管。根据BMS中电池电压的不同，选择合适的TVS产品非常关键。

 

 

针对小型BMS保护板，针对不同电压平台、不同保护场景的多样化需求，MDD1.0SMBJxx系列提供了覆盖5.0V至90V的完整电压规格，一颗型号可覆盖同一BMS中多路不同电压节点的保护需求，将选型与物料管控成本降至最低。

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