捷捷微(JJW) 提供的车规级N/P沟道 MOSFETs，击穿电压范围 VBR(DSS)_Min 从 -100V 到 650V，逻辑控制电平分高 (2.7~3.5V)、低 (1.5~1.9V; -1.0~-3.0V) 两级阈值，导通内阻低至 0.56mΩ (@ VGS = 10V)，FOM 低至 55。这些功率 MOSFET 提供多种车规级小型和大功率封装选项，所有产品均在可靠性和品质方面，符合 AEC Council 及 JEDEC 等相关测试标准。

特性：

• 击穿电压范围：-100V~650V

• 导通内阻低至0.56mΩ

• 多种封装可供选择

• 不含卤素，符合ROHS标准

• 符合AEC-Q101标准

应用：

广泛应用于车载前装及后装等各类中低压应用如辅助驾驶 (ADAS)、车载信息娱乐系统、逆变器非高压部分里的 DC-DC 同步整流、车身控制模块里「电机驱动、继电器、负载开关」等功能，及其它各种汽车应用的要求。