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MDD | SGT-MOSFET系列上线

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低 RDS (ON) & FOM 

极低的开关损耗


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卓越的可靠性和一致性

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SGT-MOSFET系列核心特点

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  • 采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术 
  • 低导通损耗:内阻(Rdson)小
  • 产品涵盖30V~150V


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SGT-MOSFET系列电气特性图

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SGT-MOSFET系列应用

SGT系列MOSFET产品采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V,随着电动汽车,无刷电机和锂电池的兴起,SGT MOSFET作为中压MOSFET的代表,被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统,逆变器系统及电源管理系统,是核心功率控制部件。其中SGT MOSFET的三大优势:1.提升功率密度,2.极低的开关损耗,3.更好的EMI优势。可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。

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