MDDG06R03G

低 RDS (ON) & FOM 

极低的开关损耗

MDDG10R20D

卓越的可靠性和一致性

快速开关和软恢复

SGT-MOSFET系列核心特点

• 采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术 
• 低导通损耗：内阻(Rdson)小
• 产品涵盖30V~150V

SGT-MOSFET系列电气特性图

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SGT系列MOSFET产品采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V，随着电动汽车，无刷电机和锂电池的兴起，SGT MOSFET作为中压MOSFET的代表，被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统，逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。其中SGT MOSFET的三大优势：1.提升功率密度，2.极低的开关损耗，3.更好的EMI优势。可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。

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