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解密Infineon使用XMC4200并搭配最新CFD7系列Mosfet实现3.3KW高功率密度双向全桥相移方案

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3300 W 双向 PSFB 是一个例子,说明半导体技术和控制算法的改进如何使 PSFB 这样的简单且众所周知的拓扑块达到传统上认为该拓扑无法达到的高效率水平。

3300 W 双向 PSFB 是一个例子,说明半导体技术和控制算法的改进如何使 PSFB 这样的简单且众所周知的拓扑块达到传统上认为该拓扑无法达到的高效率水平。


EVAL_3K3W_BIDI_PSFB 板是具有电信级输出的 DC-DC 级,通过具有双向功能的相移全桥 (PSFB) 拓扑块实现。
本文展示了在具有创新冷却概念的完整 SMD 解决方案中使用 CoolMOS™ CFD7 和 OptiMOS™ 5 的电路板。
适用于希望改进 HV 应用以实现以下目标的 SMPS 设计人员和工程师:实现更高的功率密度和最高的能源效率。

由于数字控制的灵活性,传统 PSFB 拓扑块可以用作双向 DC-DC 转换器,而无需对标准 PSFB 设计进行任何更改。
通过将表面贴装器件 (SMD) 封装中的一流 600 V CoolMOS™ CFD7 与 150 V OptiMOS™ 5 同步整流器结合使用,可以实现降压98%的效率,升压97%的效率。
这些半导体技术的出色性能、完整 SMD 解决方案的创新冷却概念以及堆叠磁性结构实现了 4.34 W/cm3(71.19 W/in3)范围内的功率密度。

方案来源:https://www.infineon.com/

►场景应用图

Infineon-Residential energy storage systems (ESS) and multi-modular topology for 2nd life batteries

►产品实体图

►展示板照片

►方案方块图

►核心技术优势

1. 具有高功率密度、高效率 2. 以全桥相移(PSFB)实现双向能量转换器 3. 具有20us 140% plus load 4. 以CFD7系列MOS 实现高效率可能性 5. 具有各式保护模式和系统性能的可配置参数,提高产品设计灵活度

►方案规格

1. 输入电压及频率操作为: DC 380V 2. 输出电压为: 60 V to 40 V 3. 降压模式效率高达98%, 升压模式效率高达97% 4. 功率密度为4.34 W/cm³ (71.19 W/in³) 5. 采用ThinPAK 封装的Infineon CoolMOS™ CFD7


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