Panjit 无线充电方案设计用MOSFET
低开关损耗、高开关频率操作、低工作温度和低栅极驱动损耗
PANJIT 功率 MOSFET 为无线充电器正常高效工作提供了先进的解决方案。panjit 功率 MOSFET 采用薄型封装,可节省空间,同时提供类似的导通电阻和热阻。 这些器件具有低开关损耗、高开关频率操作、低工作温度和低栅极驱动损耗的特点。 功率 MOSFET 非常适用于无线充电板、无线充电插座、无线充电盒和无线充电站。

特性:
低品质因数
额定逻辑电平:4.5V
低开关损耗
高开关频率操作
低栅极驱动损耗
多种封装:SOT-23;SOP-8等
应用:
无线充电垫;无线充电插座;无线充电盒;无线充电站
