英飞凌近日推出业界首款用于太空和极端环境应用的512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR闪存。这款半导体器件采用快速四串行外设接口（133MHz），具有极高的密度、辐射和单次事件效应（SEE）性能，是一款完全通过QML认证的非易失性存储器，可与太空级FPGA和微处理器配合使用。

512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR闪存

这款新器件由美国空军研究实验室太空飞行器局 (AFRL) 资助，并与Microelectronics Research Development Corporation（Micro-RDC）共同开发而成。它基于英飞凌经过实际验证的SONOS（硅衬底-隧穿氧化层-电荷存储层氮化硅-阻挡氧化层-多晶硅栅极）电荷栅阱技术，运行速度较低密度替代品提高多达30%。

英飞凌的SONOS技术独特地结合了密度和速度，以及先进的辐射性能，具有高达10000P/E的出色耐用性和长达10年的数据保存期。该产品的133MHz QSPI接口为太空级FPGA和处理器提供了高数据传输速率，并采用占板面积1”x1”的陶瓷QFP（QML-V），以及占板面积更小的0.5”x0.8”塑料TQFP（QML-P）两种封装。此外，该器件还为太空FPGA引导代码解决方案提供了最高密度的TID/SEE性能组合。其QML-V/P封装获得DLAM认证，能够满足最严格的行业资格认证要求。

该器件的典型用例包括太空级FPGA的配置映像存储和太空级多核处理器的独立启动代码存储。

新型英飞凌512 Mbit QML认证NOR闪存现已上市。